Лампа ксеноновая USHIO UXM-501MD

Лампа USHIO UXM‑501MD: подробное описание

Общее назначение
Это специализированная ртутно‑ксеноновая лампа высокой интенсивности, разработанная для технологического оборудования, где критически важен мощный источник ультрафиолетового излучения. Основное применение — процессы фотолитографии в микроэлектронном производстве, а также задачи, связанные с УФ‑отверждением и фотохимическими реакциями.

Принцип работы
Лампа генерирует излучение за счёт электрического разряда в смеси ксенона и паров ртути. Такая комбинация обеспечивает:

• интенсивное УФ‑излучение в диапазоне 230–320 нм (критично для фотолитографических процессов);

• дополнительный видимый спектр, полезный для контроля и настройки оборудования.

Ключевые технические параметры

• Мощность: 500 Вт — обеспечивает высокую энергетическую плотность излучения.

• Рабочее напряжение: 25 В — требует специализированного источника питания.

• Рабочий ток: 20 А — необходимо учитывать при проектировании системы электропитания.

• Световой поток: 20 300 лм — высокая светоотдача даже с учётом УФ‑составляющей.

• Срок службы: 600 часов — ресурс при соблюдении условий эксплуатации.

• Габариты:

  • общая длина (с цоколем): 180 мм;

  • длина без цоколя: 150 мм;

  • диаметр колбы: 29 мм.

• Положение при работе: допустимо отклонение ±15° от заданного положения — важно для корректного распределения светового потока.

• Расстояние до светового центра (LCL): 80 мм — параметр для точного позиционирования в оптической системе.

• Тип цоколя:

  • анод: SFc13‑5/19;

  • катод: SFcY13‑5/19 — требует совместимости с посадочными местами оборудования.

Конструктивные особенности

• Двухцокольная система — обеспечивает надёжное электрическое соединение и теплоотвод.

• Прочная кварцевая колба — устойчива к термическим нагрузкам и УФ‑излучению.

• Точное расстояние между электродами (3 мм) — гарантирует стабильное горение дуги.

• Термостойкая конструкция — рассчитана на работу при высоких температурах.

Области применения

1. Фотолитография:

   • установки SUSS MJB4, SUSS MA6, SUSS BA6;

   • производство полупроводниковых микросхем;

   • создание микроструктур на подложках.

2. УФ‑технологии:

   • отверждение фотополимерных материалов;

   • нанесение защитных покрытий;

   • печать с УФ‑сушкой.

3. Научные исследования:

   • фотохимические эксперименты;

   • спектроскопия;

   • моделирование УФ‑воздействия.

Требования к эксплуатации

• Принудительное охлаждение — обязательно из‑за высокой тепловой нагрузки.

• Стабильное электропитание — необходимо использовать блоки питания с точной регулировкой напряжения и тока.

• Соблюдение положения горения — отклонение более ±15° может привести к неравномерному износу и сокращению срока службы.

• Защита от механических воздействий — колба чувствительна к ударам и вибрациям.

Меры безопасности

• Высокое давление внутри колбы — при повреждении возможен взрыв.

• Интенсивное УФ‑излучение — требует экранирования для защиты кожи и глаз.

• Высокая температура поверхности — не прикасаться во время работы и сразу после выключения.

• Пары ртути — утилизировать согласно нормам для опасных отходов.

Рекомендации по обслуживанию

1. Перед заменой:

   • отключите питание;

   • дайте лампе полностью остыть;

   • используйте защитные перчатки.

2. При установке:

   • проверьте целостность колбы;

   • убедитесь в совместимости цоколя;

   • соблюдайте указанное положение горения.

3. В процессе эксплуатации:

   • контролируйте температуру корпуса;

   • проверяйте надёжность электрических соединений;

   • следите за стабильностью работы источника питания.

Страна производства: Япония — гарантия качества и соответствия промышленным стандартам.